絕對額定參數(shù)
加在器件上的負(fù)荷如果超過下列給出的最大額定參數(shù)，可能會(huì)導(dǎo)致芯片的永久性損壞。最大額定值也只是短
時(shí)間內(nèi)測試值，器件長期工作在最大值條件下也有可能會(huì)影響器件的可靠性。
4.1.1 極限電壓特性
表 4.1-1 極限電壓參數(shù)表
4.2.3 工作電流特性
電流消耗是多種參數(shù)和因素的綜合指標(biāo)，這些參數(shù)和因素包括工作電壓、環(huán)境溫度、I/O 引腳的負(fù)載、產(chǎn)品
軟件配置、工作頻率、I/O 腳的翻轉(zhuǎn)速率、程序在存儲器中的位置以及執(zhí)行的代碼等。
4.2.3.1 電流消耗
表4.2-4是在環(huán)境溫度 TA = 25℃ 條件下，從 Flash 運(yùn)行程序（一套精簡的代碼），在不同供電電壓和 AHB 時(shí)
鐘頻率下測得的典型電流消耗值。
表4.2-5是在環(huán)境溫度 TA = 25℃ 條件下，在不同供電電壓下從 Flash 運(yùn)行程序并進(jìn)入不同低功耗模式后，測
得的典型電流消耗值。
表 4.2-4 運(yùn)行模式下的典型電流消耗（從 Flash 運(yùn)行）
4.2.8 電氣敏感性
基于三個(gè)不同的測試 (ESD, LU)，使用特定的測量方法，對芯片進(jìn)行強(qiáng)度測試以決定它的電氣敏感性方面的性
能。
靜電放電 (ESD)
靜電放電 (一個(gè)正的脈沖然后間隔一秒鐘后一個(gè)負(fù)的脈沖) 施加到所有樣品的所有引腳上，樣品的大小與芯片
上供電引腳數(shù)目相關(guān) [3 片 *(n+1) 供電引腳]。這個(gè)測試符合 JESD22- A114/C101 標(biāo)準(zhǔn)。
表 4.2-14 ESD 絕對最大額定值
靜電閂鎖
為了評估栓鎖性能，需要在 6 個(gè)樣品上進(jìn)行 2 個(gè)互補(bǔ)的靜態(tài)栓鎖測試：
? 為每個(gè)電源引腳，提供超過極限的供電電壓。
? 在每個(gè)輸入、輸出和可配置的 I/O 引腳上注入電流。
這個(gè)測試符合 ANSI/ESDA/JEDEC 集成電路栓鎖標(biāo)準(zhǔn)。
軟件建議
軟件的流程中必須包含程序跑飛的控制，如：
? 被破壞的程序計(jì)數(shù)器。
? 意外的復(fù)位。
? C 關(guān)鍵數(shù)據(jù)被破壞（控制寄存器等??）
增強(qiáng) IO 的驅(qū)動(dòng)能力可以提高對 EFT 的能力。
在進(jìn)行 EET 測試時(shí)，可以把超出應(yīng)用要求的電壓直接施加在芯片上，當(dāng)檢測到意外動(dòng)作的地方，軟件部分需
要加強(qiáng)以防止發(fā)生不可恢復(fù)的錯(cuò)。
R
（低功耗mcu）
